BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 25mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFP720H6327XTSA1 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.34 EUR
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 25mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 25mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP720H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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