BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 45mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFP740ESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.4 EUR
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB ~30.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB ~30.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP740ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
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Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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