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BFP740ESDH6327XTSA1

BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bfp740esd-datasheet-v03_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 45mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bfp740esd-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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318+0.45 EUR
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7 Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~30.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON 1836009.pdf Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON 1836009.pdf Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bfp740esd-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bfp740esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7 Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~30.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFP740ESD_DataSheet_v03_00_EN-1518967.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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