BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 197+ | 0.74 EUR |
| 250+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.59 EUR |
| 2500+ | 0.55 EUR |
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Technische Details BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 39dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 45mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 47GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP 740FESD H6327 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BFP 740FESD H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BI |
auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP740FESDH6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 39dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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