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BFP740H6327XTSA1

BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

BFP740.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
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Technische Details BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT-343, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 27dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 42GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp740dsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
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Part Status: Active
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