BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 45mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 44GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFP740H6327XTSA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.93 EUR
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 44GHz |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 44GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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| BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP740H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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