BFP760H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP760H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 70mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BFP760, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFP760H6327XTSA1 nach Preis ab 0.2 EUR bis 3.44 EUR
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Frequency: 45GHz Collector-emitter voltage: 13V Current gain: 160...400 Collector current: 70mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.24W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Technology: SiGe:C Kind of transistor: HBT; RF Mounting: SMD Case: SOT343 |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Frequency: 45GHz Collector-emitter voltage: 13V Current gain: 160...400 Collector current: 70mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.24W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Technology: SiGe:C Kind of transistor: HBT; RF Mounting: SMD Case: SOT343 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 70mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP760H6327XTSA1 Produktcode: 209719
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| BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
PNP 4V 240mW 70mA BFP760H6327XTSA1 Infineon TBFP760 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160 |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP760H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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