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BFP840ESDH6327XTSA1

BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineonbfp840esddsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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Technische Details BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 75mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BFP840ESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6 Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
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22+0.96 EUR
32+0.67 EUR
36+0.6 EUR
100+0.52 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
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BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
294+0.79 EUR
355+0.61 EUR
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1000+0.51 EUR
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BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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294+0.79 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
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Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80GHz
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
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204+1.23 EUR
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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