BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFP840ESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.25 EUR
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 |
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