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BFP842ESDH6327XTSA1

Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Produktcode: 143195
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 5678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
39+0.45 EUR
44+0.4 EUR
100+0.35 EUR
250+0.32 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp842esddsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.69 EUR
321+0.45 EUR
390+0.36 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP842ESD_DS_v02_00_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
auf Bestellung 10348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.49 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp842esddsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp842esddsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 411 Stücke:
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 3.7V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT343
Current gain: 150
Mounting: SMD
Frequency: 60GHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 5678 Stücke:
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AnzahlPreis
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1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 infineonbfp842esddsv0200en.pdf
BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
212+0.69 EUR
321+0.45 EUR
390+0.36 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
auf Bestellung 10348 Stücke:
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AnzahlPreis
4+0.79 EUR
10+0.49 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
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BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
7+24.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
7+24.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BFP842ESDH6327XTSA1 INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BFP842ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 3.7V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT343
Current gain: 150
Mounting: SMD
Frequency: 60GHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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