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BFP843FH6327XTSA1

BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineonbfp843fdsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 125mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 55mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp843fdsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp843fdsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp843fdsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP843F-DS-v02_00-EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP843F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896e2564ec2 Description: RF TRANS NPN 2.25V PG-TSFP-4-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 25dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
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BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 INFINEON 2354693.pdf Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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325+0.71 EUR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
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Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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auf Bestellung 1890 Stücke:
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V PG-TSFP-4-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
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Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP843FH6327XTSA1 2354693.pdf
BFP843FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
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