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BFP843H6327XTSA1

BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFP843-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896d8ec4ebf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 24.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
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Technische Details BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 125mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 55mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP843H6327XTSA1 BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp843dsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 24.5dB
Power - Max: 125mW
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
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Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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189+1.24 EUR
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP843H6327XTSA1 BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp843dsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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Transistor Type: NPN
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Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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