BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFP843H6327XTSA1 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.36 EUR
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 55mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 55mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP843H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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