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BFQ19SH6327XTSA1

BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies

125bfq19s.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 125bfq19s.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFQ19S-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630 Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 125bfq19s.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C0C542C2A11C&compId=BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=308d2c563328e90936001c00c9e93dc4a527b52a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
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100+0.72 EUR
147+0.49 EUR
161+0.44 EUR
182+0.39 EUR
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C0C542C2A11C&compId=BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=308d2c563328e90936001c00c9e93dc4a527b52a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFQ19S-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630 Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
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20+0.88 EUR
29+0.62 EUR
32+0.55 EUR
100+0.48 EUR
250+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BFQ19S-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630 NPN 150mA 15V 900mW 5GHz BFQ19SE6327 (3dB @ 1.8GHz), BFQ19,115 (3.3dB @ 500MHz) BFQ19 smd TBFQ19
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
30+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFQ19S_DS_v01_01_en-1225956.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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