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BFQ19SH6359XTMA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
BFQ19SH6359XTMA1
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Technische Details BFQ19SH6359XTMA1 Infineon Technologies

Description: BFQ19S - RF SMALL SIGNAL BIPOLAR, Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Frequency - Transition: 5.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 120mA, Power - Max: 1W, Gain: 11.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFQ19SH6359XTMA1 BFQ19SH6359XTMA1 Infineon Technologies INFNS30117-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BFQ19S - RF SMALL SIGNAL BIPOLAR
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Frequency - Transition: 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Power - Max: 1W
Gain: 11.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: BFQ19S - RF SMALL SIGNAL BIPOLAR
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Frequency - Transition: 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Power - Max: 1W
Gain: 11.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
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