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BFR 193F H6327 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFR 193F H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR 193F H6327 Infineon
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BFR 193F H6327
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