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BFR193FH6327

BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

BFR193FH6327-dte.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
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Technische Details BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR 193F H6327 BFR 193F H6327 Infineon Technologies 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
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BFR 193F H6327 BFR 193F H6327 Infineon Technologies Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
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