BFR 193F H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BFR 193F H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BFR 193F H6327 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BFR 193F H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
auf Bestellung 5679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFR193FH6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BFR193FH6327 NPN SMD transistors |
auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BFR 193F H6327 | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BFR193FH6327 Produktcode: 187138
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BFR193FH6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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