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BFR106E6327HTSA1

BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies

8556infineon_high_linearity_lna_bfr106.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 16V 0.21A 700mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 210mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies 8556infineon_high_linearity_lna_bfr106.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.21A 700mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 INFINEON INFNS30118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 INFINEON INFNS30118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr106.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142686f2030637 Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~ 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR106_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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auf Bestellung 137 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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BFR106E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 16V 0.21A 700mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BFR106E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 16V 0.21A 700mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BFR106E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 16V 0.21A 700mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 394 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 77537 Stücke:
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BFR106E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~ 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
47+0.45 EUR
52+0.4 EUR
100+0.35 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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BFR106E6327HTSA1 Infineon_BFR106_DS_v01_01_en.pdf
BFR106E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.39 EUR
10+0.81 EUR
100+0.57 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BFR106E6327HTSA1 8556infineon_high_linearity_lna_bfr106.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf
BFR106E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 16V 0.21A 700mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 137 Stücke:
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BFR106E6327HTSA1 8556infineon_high_linearity_lna_bfr106.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf
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