BFR181E6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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Technische Details BFR181E6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 18.5dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BFR 181 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| BFR181E-6327 | Hersteller : INFINEON | 94+ |
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| BFR181E6327 | Hersteller : Infineon technologies |
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