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BFR181E6327HTSA1

BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 18.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4182 Stücke:
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2453+0.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 2453 Stücke
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BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2453+0.26 EUR
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BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.5 EUR
814+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
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BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 840 Stücke:
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BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR181_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
auf Bestellung 5871 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BFR181E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4182 Stücke:
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2453+0.26 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BFR181E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
498+0.5 EUR
814+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
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BFR181E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.5 EUR
814+0.29 EUR
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BFR181E6327HTSA1 Infineon_BFR181_DS_v01_01_en.pdf
BFR181E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
auf Bestellung 7629 Stücke:
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6+0.56 EUR
10+0.33 EUR
100+0.26 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BFR181E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
auf Bestellung 5871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.92 EUR
30+0.7 EUR
34+0.63 EUR
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