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BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Infineon TBFR182w_INFINEON_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Substitute: BFR182WH6327; BFR182WH6327XTSA1 TBFR182w
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BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON INFNS14750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
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BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON INFNS14750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BFR182WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Substitute: BFR182WH6327; BFR182WH6327XTSA1 TBFR182w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BFR182WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BFR182WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: NPN
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
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BFR182WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1 Stücke:
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BFR182WH6327XTSA1 8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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