BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFR182WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.071 EUR bis 0.23 EUR
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 35mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT323 Frequency: 8GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 35mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT323 Frequency: 8GHz |
auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
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| BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Substitute: BFR182WH6327; BFR182WH6327XTSA1 TBFR182w Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFR182WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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