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BFR183E6327HTSA1

BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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Technische Details BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 65mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BFR183E6327HTSA1 nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
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Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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50+0.42 EUR
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BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies 8531infineon_lna_bfr183.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
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BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 INFINEON INFNS30141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 INFINEON INFNS30141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BFR183E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BFR183E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 130 Stücke:
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BFR183E6327HTSA1 INFNS30141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR183E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
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Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BFR183E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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