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BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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Technische Details BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB ~ 15dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR193-DS-v01_01-en.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
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BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon info-tbfr193.pdf NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193
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RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
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NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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