BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFR193E6327HTSA1 nach Preis ab 0.088 EUR bis 0.65 EUR
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| BFR193E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193 |
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Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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