BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 580mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSLP-3-1, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFR193L3E6327XTMA1 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 4388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 4388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 13436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 14900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 840000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 13436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
auf Bestellung 7863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 580mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 580mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
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auf Bestellung 4388 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1069+ | 0.17 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 4388 Stücke:
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|---|---|
| 1069+ | 0.17 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 13436 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 958+ | 0.18 EUR |
| 991+ | 0.17 EUR |
| 1025+ | 0.15 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.19 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.19 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2455+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 14900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2455+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 840000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2455+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
| 100000+ | 0.19 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 13436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 547+ | 0.31 EUR |
| 812+ | 0.2 EUR |
| 958+ | 0.17 EUR |
| 974+ | 0.15 EUR |
| 1008+ | 0.14 EUR |
| 1025+ | 0.13 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
auf Bestellung 7863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 0.55 EUR |
| 55+ | 0.38 EUR |
| 62+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 250+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 2500+ | 0.24 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.67 EUR |
| 550+ | 0.42 EUR |
| 663+ | 0.32 EUR |
| 776+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.67 EUR |
| 550+ | 0.42 EUR |
| 663+ | 0.32 EUR |
| 776+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |




