Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 16805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
864+0.2 EUR
981+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 864 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 580mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BFR193WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
831+0.21 EUR
974+0.18 EUR
990+0.17 EUR
1023+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.32 EUR
298+0.29 EUR
334+0.25 EUR
385+0.23 EUR
424+0.2 EUR
459+0.19 EUR
491+0.18 EUR
511+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 16805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
523+0.33 EUR
869+0.19 EUR
986+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.35 EUR
730+0.23 EUR
831+0.19 EUR
974+0.15 EUR
1006+0.14 EUR
1023+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
54+0.39 EUR
60+0.35 EUR
100+0.3 EUR
250+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
527+0.44 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
527+0.44 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.84 EUR
100+0.56 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
831+0.21 EUR
974+0.18 EUR
990+0.17 EUR
1023+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.32 EUR
298+0.29 EUR
334+0.25 EUR
385+0.23 EUR
424+0.2 EUR
459+0.19 EUR
491+0.18 EUR
511+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 16805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
523+0.33 EUR
869+0.19 EUR
986+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.35 EUR
730+0.23 EUR
831+0.19 EUR
974+0.15 EUR
1006+0.14 EUR
1023+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
54+0.39 EUR
60+0.35 EUR
100+0.3 EUR
250+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
341+0.74 EUR
527+0.44 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
341+0.74 EUR
527+0.44 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.39 EUR
10+0.84 EUR
100+0.56 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH