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BFR35APE6327HTSA1

BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies

INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Power - Max: 280mW
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 45mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BFR35APE6327HTSA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 0.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR35AP-DS-v01_01-en-1731214.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 INFINEON INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2293 Stücke:
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BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 INFINEON INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
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