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BFR360FH6327XTSA1

BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
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Technische Details BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V, Frequency - Transition: 14GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-TSFP-3, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote BFR360FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR360F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
275+0.26 EUR
315+0.23 EUR
376+0.19 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR360F_DS_v02_00_EN-2309319.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 17906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.33 EUR
16+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
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39+0.46 EUR
55+0.32 EUR
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100+0.25 EUR
250+0.23 EUR
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Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
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Part Status: Active
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