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BFR360FH6765XTSA1

BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW 3-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BFR360FH6765XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies infineonbfr360fdsen.pdf Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW 3-Pin TSFP T/R
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BFR360FH6765XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
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500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
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BFR360FH6765XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 INFINEON Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BFR360FH6765XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 INFINEON Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
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Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
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BFR360FH6765XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR360FH6765XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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