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BFR740L3RHE6327XTSA1

BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFR740L3RH-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896ffd44ecb
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
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Technische Details BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 24.5dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 42GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR740L3RH_DataSheet_v03_01_EN.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor
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