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BFR740L3RHE6327XTSA1

BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bfr740l3rh-datasheet-v03_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R
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Technische Details BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: TSLP, Dauerkollektorstrom: 40mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 47GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BFR740L3RHE6327XTSA1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr740l3rh-datasheet-v03_01-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R
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BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8738 Stücke:
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214+1.17 EUR
295+0.79 EUR
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BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
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21+1.05 EUR
25+0.94 EUR
100+0.82 EUR
250+0.77 EUR
500+0.74 EUR
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BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR740L3RH_DataSheet_v03_01_EN.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor
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10+0.95 EUR
100+0.77 EUR
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1000+0.73 EUR
10000+0.69 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 29830 Stücke:
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BFR740L3RHE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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285+0.81 EUR
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500+0.58 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
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RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor
auf Bestellung 6596 Stücke:
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10+0.95 EUR
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