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BFR840L3RHESDE6327XTSA1

BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bfr840l3rhesd-ds-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
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Technische Details BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BFR840L3RHESDE6327XTSA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr840l3rhesd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 14885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.58 EUR
310+0.55 EUR
312+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
312+0.75 EUR
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR840L3RHESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389709cd4ece Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
auf Bestellung 13845 Stücke:
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21+1.05 EUR
25+0.94 EUR
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250+0.77 EUR
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1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR840L3RHESD-DataSheet-v02_02-EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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100+0.92 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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21+1.05 EUR
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100+0.82 EUR
250+0.77 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
auf Bestellung 28775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.75 EUR
10+1.12 EUR
100+0.92 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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