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BFS 481 H6327

BFS 481 H6327 Infineon Technologies

bfs481.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFS 481 H6327 Infineon Technologies

Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 175mW, Gain: 20dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFS481H6327 BFS481H6327 Infineon Technologies INFNS10803-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 20dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
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BFS481H6327 INFNS10803-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFS481H6327
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 20dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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