BFS 481 H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 167+ | 0.89 EUR |
| 250+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2500+ | 0.66 EUR |
| 5000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details BFS 481 H6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 20dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFS 481 H6327 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BFS 481 H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
auf Bestellung 5949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFS481H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
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