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BFS 481 H6327

BFS 481 H6327 Infineon Technologies

bfs481.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFS 481 H6327 Infineon Technologies

Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 175mW, Gain: 20dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFS 481 H6327 BFS 481 H6327 Infineon Technologies 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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BFS 481 H6327 743infineon_lna_bfs481.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf
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