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Technische Details BFS17NTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3.2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFS17NTA nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 330mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 330mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 3.2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
auf Bestellung 56930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw |
auf Bestellung 3893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS17NTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFS17NTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3.2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFS17NTA Produktcode: 128812
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BFS17NTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BFS17NTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 11V; 0.05A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 11V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 56...180 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 1.4...3.2GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BFS17NTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 11V; 0.05A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 11V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 56...180 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 1.4...3.2GHz |
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