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BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies

Name: BFS17PE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 14617872-4
Price: 2.8600000000000003 EUR
Availability: InStock

Infineon_BFS17P_DS_v01_01_EN-1225963.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

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Technische Details BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 25mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
BFS17PE6327HTSA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 3585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFS17PE6327HTSA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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BFS17PE6327HTSA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 1.4GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFS17PE6327HTSA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 1.4GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH