Technische Details BFS481E6327 INF
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 20dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| BFS481 E6327 | Hersteller : INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 21018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BFS481 E6327 | Hersteller : INFINEON | SOT363-RF PB-FRE |
auf Bestellung 753000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BFS 481 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete |
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BFS 481 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| BFS 481 E6327 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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