BFU520AR NXP
Hersteller: NXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8669 Stücke:
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Technische Details BFU520AR NXP
Description: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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BFU520AR | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU520AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
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BFU520AR | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BFU520AR | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BFU520AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor |
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BFU520AR | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10GHz |
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