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BFU520AVL

BFU520AVL NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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Technische Details BFU520AVL NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Frequency - Transition: 10GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Power - Max: 450mW, Gain: 12.5dB, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFU520AVL BFU520AVL Hersteller : NXP USA Inc. BFU520A.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 450mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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BFU520AVL BFU520AVL Hersteller : NXP USA Inc. BFU520A.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
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Power - Max: 450mW
Gain: 12.5dB
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