BFU520XVL NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
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Technische Details BFU520XVL NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 10.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFU520XVL nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BFU520XVL | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
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BFU520XVL | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
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BFU520XVL | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active |
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