BFU530WF

BFU530WF NXP Semiconductors


BFU530W-3137919.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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Technische Details BFU530WF NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFU530WF BFU530WF Hersteller : NXP USA Inc. BFU530W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
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