BFU530WF NXP Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.77 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 10000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details BFU530WF NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFU530WF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BFU530WF | NXP |
 Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFU530WF | NXP |
Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFU530WF |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
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Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BFU530WF |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
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euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)