BFU550AR NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details BFU550AR NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BFU550AR nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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BFU550AR | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 12V Mounting: SMD Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape Current gain: 60...200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Frequency: 11GHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 9820 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 12V Mounting: SMD Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape Current gain: 60...200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Frequency: 11GHz |
auf Bestellung 9820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R |
auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R |
auf Bestellung 10102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R |
auf Bestellung 10102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
auf Bestellung 16118 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
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BFU550AR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R |
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