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BFU550WX

BFU550WX NXP Semiconductors

2511bfu550w.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3368 Stücke:
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Technische Details BFU550WX NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SC-70, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BFU550WX nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFU550WX BFU550WX NXP Semiconductors 2511bfu550w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2180 Stücke:
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BFU550WX BFU550WX NXP Semiconductors 2511bfu550w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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BFU550WX BFU550WX NXP USA Inc. BFU550W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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3000+0.61 EUR
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BFU550WX BFU550WX NXP Semiconductors 2511bfu550w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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BFU550WX BFU550WX NXP Semiconductors BFU550W-3138412.pdf RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BFU550WX BFU550WX NXP USA Inc. BFU550W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5499 Stücke:
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16+1.32 EUR
23+0.94 EUR
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BFU550WX BFU550WX NXP Semiconductors 2511bfu550w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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BFU550WX NXP BFU550W.pdf Description: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 11GHz
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25+0.87 EUR
100+0.7 EUR
250+0.69 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
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Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
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Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
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16+1.32 EUR
23+0.94 EUR
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100+0.74 EUR
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Description: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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