BFU590QX NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFU590QX NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU590QX nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.55 EUR
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BFU590QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU590QX | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active |
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BFU590QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU590QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU590QX | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active |
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BFU590QX | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFU590QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU590QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU590QX | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU590QX | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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BFU590QX Produktcode: 131638
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RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
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