BFU660F,115

BFU660F,115

Produktcode: 99607
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BFU660F,115

Preis BFU660F,115 ab 0.44 EUR bis 1.31 EUR

BFU660F,115
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Supplier Device Package: 4-DFP
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auf Bestellung 60099 Stücke
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1329+ 0.44 EUR
BFU660F,115
BFU660F,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Base Part Number: BFU660
Gain: 12dB ~ 21dB
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Power - Max: 225mW
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: NXP USA Inc.
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3000+ 0.71 EUR
BFU660F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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204+ 0.73 EUR
248+ 0.58 EUR
253+ 0.55 EUR
BFU660F,115
BFU660F,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Base Part Number: BFU660
Manufacturer: NXP USA Inc.
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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21+ 1.13 EUR
24+ 0.97 EUR
26+ 0.91 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.7 EUR
BFU660F,115
BFU660F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
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36+ 1.31 EUR
45+ 1.04 EUR
100+ 0.84 EUR
3000+ 0.81 EUR
BFU660F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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BFU660F,115
BFU660F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
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BFU660F,115
BFU660F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: TRANSISTOR NPN SOT343F-4
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
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