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BFU660F,115

Name: BFU660F,115
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 519226-5
Price: 960.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 99607

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BFU660F,115

NXP Semiconductors

Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R

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NXP Semiconductors

Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R

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BFU660F,115

NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active

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RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz

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BFU660F,115

NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)

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BFU660F,115

NXP

PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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NXP

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Hersteller: NXP Semiconductors
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active

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Hersteller: NXP Semiconductors
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BFU660F,115

Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R

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Hersteller: NXP Semiconductors
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313+	0.55 EUR
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320+	0.49 EUR
323+	0.46 EUR
500+	0.44 EUR
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz

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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)

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17+	1.25 EUR
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BFU660F,115

Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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BFU660F,115

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