BFU660F,115


BFU660F.pdf
Produktcode: 99607
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BFU660F,115 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP Semiconductors BFU660F-3138155.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.89 EUR
100+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU660F,115 BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU660F,115 BFU660F.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU660F,115 BFU660F-3138155.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.89 EUR
100+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU660F,115 BFU660F.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 225mW
Gain: 12dB ~ 21dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH