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BFU660F,115

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Produktcode: 99607
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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2000+0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 381
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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Anzahl Preis
317+0.46 EUR
320+0.44 EUR
323+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.34 EUR
15000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 317
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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310+0.47 EUR
313+0.45 EUR
317+0.42 EUR
320+0.4 EUR
323+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 310
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU660F-3138155.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
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100+0.55 EUR
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3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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11+1.67 EUR
17+1.05 EUR
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500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP PHGLS22179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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