BFU660F,115

BFU660F,115 NXP Semiconductors


bfu660f.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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Technische Details BFU660F,115 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 60mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU660F-3138155.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP BFU660F.pdf Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP BFU660F.pdf Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFU660F,115 BFU660F,115
Produktcode: 99607
BFU660F.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu660f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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BFU660F,115 BFU660F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU660F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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