BFU710F,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFU710F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 43GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BFU710F,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
auf Bestellung 9260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU710F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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