Produkte > NXP USA INC. > BFU710F,115
BFU710F,115

BFU710F,115 NXP USA Inc.


BFU710F.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BFU710F,115 NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 136mW, Current - Collector (Ic) (Max): 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V, Frequency - Transition: 43GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Supplier Device Package: 4-DFP, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote BFU710F,115 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BFU710F,115 BFU710F,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU710F-3137841.pdf RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.72 EUR
100+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU710F,115 BFU710F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU710F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Frequency - Transition: 43GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 136mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 9240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH