BFU725F,115

BFU725F,115 NXP Semiconductors


bfu725f_1.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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Technische Details BFU725F,115 NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB ~ 24dB, Power - Max: 136mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 70GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Supplier Device Package: 4-DFP.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFU725F,115 BFU725F,115 Hersteller : NXP USA Inc. Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
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BFU725F,115 BFU725F,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU725F_N1-3138124.pdf RF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
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