BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 25mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU725F/N1,115 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.46 EUR
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Mounting: SMD Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 110GHz Collector-emitter voltage: 2.8V Current gain: 160...400 Collector current: 40mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 136mW Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Mounting: SMD Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 110GHz Collector-emitter voltage: 2.8V Current gain: 160...400 Collector current: 40mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 136mW Polarisation: bipolar |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU725F/N1,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
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