Technische Details BFU730LXZ NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: SOT-883C, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 53GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU730LXZ nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BFU730LXZ | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3Supplier Device Package: DFN1006C-3 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Frequency - Transition: 53GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 160mW Gain: 15.8dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU730LXZ | NXP |
Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-883C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 53GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| BFU730LXZ |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 15.8dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 15.8dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.62 EUR |
| 22+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| BFU730LXZ |
![]() |
Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




