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BFU730LXZ

BFU730LXZ NXP USA Inc.

BFU730LX.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 15.8dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details BFU730LXZ NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3, Supplier Device Package: DFN1006C-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Frequency - Transition: 53GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Power - Max: 160mW, Gain: 15.8dB, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFU730LXZ BFU730LXZ NXP USA Inc. BFU730LX.pdf Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 160mW
Gain: 15.8dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
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BFU730LXZ BFU730LXZ NXP Semiconductors BFU730LX.pdf RF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Frequency - Transition: 53GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
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Mounting Type: Surface Mount
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