Technische Details BFU768F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Dauerkollektorstrom: 70mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BFU768F, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 110GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU768F,115 nach Preis ab 0.29 EUR bis 2.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 477000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 1335000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 568150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 110GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz Supplier Device Package: 4-DFP |
auf Bestellung 2623150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP |
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP |
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor |
auf Bestellung 1279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 477000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2258+ | 0.29 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 1335000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2258+ | 0.29 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2258+ | 0.29 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 568150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2258+ | 0.29 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2258+ | 0.29 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2258+ | 0.29 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 2623150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1845+ | 0.32 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.55 EUR |
| 22+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.61 EUR |
| 255+ | 0.92 EUR |
| 355+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.61 EUR |
| 255+ | 0.92 EUR |
| 355+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| BFU768F,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.67 EUR |
| 10+ | 1.86 EUR |
| 25+ | 1.46 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |