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BGA7H1N6E6327XTSA1

BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies

536bga7h1n6_final_31.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4file.pdf Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.69GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
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Technische Details BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, Rauschmaß, typ.: 0.65dB, Bauform - HF-IC: TSNP, Verstärkung: 12.5dB, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Frequenz, min.: 2.3GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.5V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.3V, Frequenz, max.: 2.69GHz, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 12.5dB
Current - Supply: 4.7mA
Noise Figure: 0.6dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 12.5dB
Current - Supply: 4.7mA
Noise Figure: 0.6dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
auf Bestellung 15500 Stücke:
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12+1.52 EUR
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250+1.05 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BGA7H1N6_DS_v03_01_en-1226411.pdf RF Amplifier RF SILICON MMIC
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10+1.25 EUR
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS29926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 12.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14698 Stücke:
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS29926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 12.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 536bga7h1n6_final_31.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4file.pdf Low Noise Amplifier for LTE
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