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BGA7H1N6E6327XTSA1

BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 12.5dB
Current - Supply: 4.7mA
Noise Figure: 0.6dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
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Technische Details BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6, tariffCode: 85423990, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Bauform - HF-IC: TSNP, Rauschmaß, typ.: 0.65dB, Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: -, Verstärkung: 12.5dB, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSNP, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Frequenz, min.: 2.3GHz, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 6Pin(s), Frequenzgang HF, max.: 2.69GHz, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Frequenzgang HF, min.: 2.3GHz, Versorgungsspannung, max.: 3.3V, Frequenz, max.: 2.69GHz, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Verstärkung, typ.: 12.5dB.

Weitere Produktangebote BGA7H1N6E6327XTSA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BGA7H1N6_DS_v03_01_en.pdf RF Amplifier RF SILICON MMIC
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 12.5dB
Current - Supply: 4.7mA
Noise Figure: 0.6dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
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BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 INFINEON Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6
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Bauform - HF-IC: TSNP
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: -
Verstärkung: 12.5dB
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.3GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.69GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 2.3GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 12.5dB
auf Bestellung 14608 Stücke:
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.3GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.69GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 2.3GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 12.5dB
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RF Amplifier RF SILICON MMIC
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BGA7H1N6E6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
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Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
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BGA7H1N6E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 12.5dB
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BGA7H1N6E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGA7H1N6E6327XTSA1 - Rauscharmer Verstärker, LTE, 2.3GHz-2.69GHz, 12.5dB Verstärkung, 0.65dB Rauschen, 1.5V-3.3V, TSNP-6
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IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.3GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.69GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 2.3GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 12.5dB
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