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BIDNW30N60H3

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Produktcode: 189125
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 230W
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.01 EUR
200+3.52 EUR
350+3.49 EUR
700+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns bidnw30n60h3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.53 EUR
35+4.93 EUR
36+4.51 EUR
50+4.09 EUR
100+3.69 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS 3763398.pdf Description: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.38 EUR
48+4.86 EUR
100+3.7 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.2 EUR
100+4.96 EUR
600+4.02 EUR
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BIDNW30N60H3
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 230W
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+4.01 EUR
200+3.52 EUR
350+3.49 EUR
700+3.42 EUR
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Hersteller: Bourns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
32+5.53 EUR
35+4.93 EUR
36+4.51 EUR
50+4.09 EUR
100+3.69 EUR
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BIDNW30N60H3
Hersteller: BOURNS
Description: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 892 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
27+9.38 EUR
48+4.86 EUR
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BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.17 EUR
10+6.2 EUR
100+4.96 EUR
600+4.02 EUR
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