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Technische Details BIDW30N60T Bourns
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns, Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 76 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 230 W.
Weitere Produktangebote BIDW30N60T nach Preis ab 2.83 EUR bis 6.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BIDW30N60T | Hersteller : Bourns |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BIDW30N60T | Hersteller : Bourns |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BIDW30N60T | Hersteller : Bourns Inc. |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 230 W |
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BIDW30N60T | Hersteller : Bourns |
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 |
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BIDW30N60T | Hersteller : BOURNS |
Description: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| BIDW30N60T | Hersteller : BOURNS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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| BIDW30N60T | Hersteller : Bourns |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BIDW30N60T | Hersteller : Bourns |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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