BIDW40N65ES5 Bourns
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Technische Details BIDW40N65ES5 Bourns
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 106 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 107 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.
Weitere Produktangebote BIDW40N65ES5 nach Preis ab 3.42 EUR bis 8.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BIDW40N65ES5 | Hersteller : Bourns Inc. |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 107 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W |
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BIDW40N65ES5 | Hersteller : BOURNS |
Description: BOURNS - BIDW40N65ES5 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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