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BLF245

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Technische Details BLF245

  • MOSFET, VHF, SOT-123
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:65V
  • Cont Current Id:6A
  • Case Style:SOT-123
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:D(1), S(2&4), G(3)
  • Power Dissipation:68W
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Gain Bandwidth ft:175MHz
  • Application Code:RFPOWMOS
  • Base Number:1
  • Max Current Id:6A
  • Max Current Idss:2mA
  • Max On State Resistance:0.75ohm
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Max Voltage Vgs th:4.5V
  • Min Power Gain Gp:33dB
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • On State Resistance:0.4ohm
  • Power Dissipation Pd:68W
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:SOT-123
  • Typ Voltage Vds:65V
  • Typ Voltage Vgs th:4.5V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote BLF245 nach Preis ab 93.09 EUR bis 122.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BLF245 Advanced Semiconductor, Inc. blf245-4764.pdf description RF MOSFET Transistors RF Transistor
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BLF245 nxp description 08+
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Hersteller: Advanced Semiconductor, Inc.
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