BLF6G10LS-135R,112 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 32A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 871.5MHz ~ 891.5MHz
Power - Output: 26.5W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 950 mA
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Technische Details BLF6G10LS-135R,112 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 32A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 871.5MHz ~ 891.5MHz, Power - Output: 26.5W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 950 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| BLF6G10LS-135R,112 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BLF6G10LS-135R,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
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