BLF6G10LS-135R,112 Ampleon USA Inc.
Hersteller: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Current - Test: 950 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT502B
Technology: LDMOS
Gain: 21dB
Power - Output: 26.5W
Frequency: 871.5MHz ~ 891.5MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-502B
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 32A
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Technische Details BLF6G10LS-135R,112 Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Current - Test: 950 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT502B, Technology: LDMOS, Gain: 21dB, Power - Output: 26.5W, Frequency: 871.5MHz ~ 891.5MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-502B, Packaging: Tray, Current Rating (Amps): 32A.
Weitere Produktangebote BLF6G10LS-135R,112 nach Preis ab 199.11 EUR bis 321.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BLF6G10LS-135R,112 | NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Blister |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BLF6G10LS-135R,112 | NXP |
Description: NXP - BLF6G10LS-135R,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BLF6G10LS-135R,112 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Blister
Trans RF FET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Blister
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 199.11 EUR |
| BLF6G10LS-135R,112 |
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Hersteller: NXP
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auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 3+ | 321.32 EUR |